研究紹介

半導体エレクトロニクスの革新を目指す

量子・ナノデバイスの研究と開発

社会に役立つ研究

コンピュータや携帯電話などに使われる

半導体の高速化、低消費電力化

パソコンに使われるCPUやメモリなどの電子部品は、基本素子を微細化し、大規模回路に集積化する事で発展して来ましたが、寸法が100ナノメートル(1ナノメートル:10億分の1メートル)をきるあたりから、限界に近づき、新材料や新デバイスの開発が盛んに行なわれています。私たちは、新Ⅳ族半導体などの材料を用いた革新デバイスや、電気配線を光で行う光・電子融合デバイスの研究開発を進め、社会ニーズに応えています。

研究室の特徴

先端的、国際的な研究開発環境

半導体デバイスの作製、電気的、光学的な特性評価、光電子分光法やシミュレーションによる解析、評価と、個々の研究テーマは多岐にわたっています。強い目的意識と、研究に対する貪欲さがあれば、先端技術に関する幅広い知識と見識がおのずと得られます。また、シリコンナノ科学研究センター勤務のポストドクターや外国人スタッフによる直接指導など、高度で、国際的な研究環境にあります。

主な卒業研究テーマ

・XPSによる酸窒化膜/Si界面構造の研究

・XPSによる高誘電率ゲート絶縁膜の研究

・XPSによるラジカル酸化過程の研究

・Ⅳ族へテロデバイスのキャリヤ輸送の解析

・Ⅳ族半導体超高速電子デバイスの開発

・量子ドットによるⅣ族発光デバイスの開発

・フォトニック結晶による光配線技術の研究

・MBEによるヘテロ超構造形成技術の研究