Room-temperature electrical creation of spin accumulation in n-Ge using highly resistive Fe3Si/n+-G…

“Room-temperature electrical creation of spin accumulation in n-Ge using highly resistive Fe3Si/n+-Ge Schottky-tunnel contacts”

Kohei Hamaya, Gotaro Takemoto, Yuzo Baba, Kenji Kasahara, Shinya Yamada, Kentarou Sawano, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 557 (2014) 382–385 DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.120(外部サイト)

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室(ナノエレクトロニクス研究センター) 公式サイトです。 最新の情報は、"ニュース"にて発信しております。また、論文や学会発表実績についても公開しております。