Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(1 1 0) films by controlling defects via ion implanta

Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(1 1 0) films by controlling defects via ion implantation

M. Kato, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano Journal of Crystal Growth 477, 197–200 (2017). DOI: https://doi.org//10.1016/j.jcrysgro.2017.05.022(外部サイト)

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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