Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with se…

“Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar+ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy”

Shotaro Yamamoto, Daisuke Kosemura, Kazuma Takeuchi, Seiya Ishihara, Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira and Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 56, 051301 (2017) DOI: https://doi.org//10.7567/JJAP.56.051301(外部サイト)

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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