Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE

“Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE”

Keisuke Arimoto, Sosuke Yagi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa

Journal of Crystal Growth 468, 625-629 (2017) DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.076(外部サイト)

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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