Effects of post annealing on in-situ n-doped Ge-on-Si

“Effects of post annealing on in-situ n-doped Ge-on-Si”

Yuta Kumazawa, Xuejun Xu, Takuya Maruizumi, Kentarou Sawano

Semiconductor Science and Technology 33, 124006 (7pp) (2018) DOI:/10.1088/1361-6641/aae62e

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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