国際会議発表（ISTDM＠シンガポール）

長嶋智典君と米倉瑛介君が、シンガポールにて開催された国際会議International SiGe Technology and Device Meeting（6月2日～4日）にて口頭発表を行いました。

長嶋智典（修士2年）

講演タイトル「Electrical properties of strained Ge(111)-on-Insulator (GOI) fabricated by Ge epitaxy on Si and layer transfer」

米倉瑛介（修士2年）

講演タイトル「Formation of uniaxially strained SiGe with high Ge concentrations by selective ion implantation」

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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