Gas-source MBE growth of strain-relaxed Si1-xCx on Si (100) substrates

Keisuke Arimoto, Shoichiro Sakai, Hiroshi Furukawa, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki

Journal of Crystal Growth 378, 212–217 (2013).　　　DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.152(外部サイト)

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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