On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantat…

“On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique”

K. Sawano, Y. Hoshi, S. Nagakura, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami, Y. Shiraki

Journal of Crystal Growth 378, 251–253 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.100(外部サイト)

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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