Room-temperature detection of spin accumulation in silicon across Schottky tunnel barriers using a …

“Room-temperature detection of spin accumulation in silicon across Schottky tunnel barriers using a metal–oxide–semiconductor field effect transistor structure (invited)”

K. Hamaya, Y. Ando, K. Masaki, Y. Maeda, Y. Fujita, S. Yamada, K. Sawano and M. Miyao

J. Appl. Phys. 113, 17C501 (2013).

https://doi.org/10.1063/1.4793501(外部サイト)

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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