Room-temperature sign reversed spin accumulation signals in silicon-based devices using an atomical…

”Room-temperature sign reversed spin accumulation signals in silicon-based devices using an atomically smooth Fe3Si/Si(111) contact”

Y. Fujita, S. Yamada, Y. Ando, K. Sawano, H. Itoh, M. Miyao, and K. Hamaya

J. Appl. Phys. 113, 013916 (2013). DOI: 10.1063/1.4773072(外部サイト)

東京都市大学 ナノエレクトロニクス研究室

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